三星HBM3E内存通过英伟达认证，加速AI工作负载部署 过英工作显著降低延迟

将用于下一代AI加速器的存通关键内存栈。三星电子宣布其第五代高带宽内存HBM3E已正式通过英伟达的过英工作认证测试，目前三星已开始向英伟达批量供货，伟达为全球AI芯片供应链提供更多选择。认证相比上一代HBM3能效提升约20%。加速三星表示，负载预计下半年搭载于H200及后续GPU中。部署单颗容量达36GB，存通HBM3E可在高负载AI训练任务中稳定运行，过英工作显著降低延迟。伟达数据传输速率高达9.6Gbps，认证通过优化热管理工艺和先进的加速硅通孔技术，业内分析认为，负载该产品采用12层堆叠设计，部署此举将打破SK海力士在HBM市场的存通垄断格局， 来源：三星官方新闻